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HVPE控制系統

氮化鎵(GaN)是第三代半導體材料中的典型代表,因其良好的物理性能與穩定特性,是制作光電子器件及電力電子器件的理想材料。采用同質外延技術在GaN單晶襯底上紙杯GaN基器件是實現其高性能的根本途徑。

項目描述:

北京大學東莞光電研究院搭建的一套GaN單晶襯底制備的HVPE外延設備,

需要的控制系統包括:1.壓力控制系統;2.溫度控制系統;3.監控報警系統;4.曲線采集/歷史曲線分析;5. 數據導入/導出/存儲。



逸維智能科技有限公司

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逸維產品包括半導體、汽車新能源、生物醫藥、環保與3C生產線控制系統。

 技術要求與難點

4溫區獨立控溫

18路質量流量計控制

溫度控制要求:升降溫要穩定,在設定的時間內達到設定溫度;溫度波動需要<2度;恒溫控制需要在<0.5度

壓力控制要求:腔內壓力控制精度要<1torr,需要帶有自動保護功能。

流量計控制:具有實時數據巡檢功能,流量計開啟順序可自定義設定功能。


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專項定制

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